多通道電化學工作站憑借“實時監(jiān)測、多點位同步分析、高靈敏度”特性，成為半導體晶圓制造中金屬離子殘留（如Cu、Fe、Ni、Cr等，允許殘留量常＜10ppb）在線檢測的核心設備。其通過電化學方法將晶圓表面微量金屬離子的化學信號轉(zhuǎn)化為電信號，結(jié)合多通道并行檢測能力，實現(xiàn)對晶圓不同區(qū)域殘留的快速定量，為晶圓清洗工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控提供關鍵數(shù)據(jù)支撐。

　　一、核心檢測原理：適配微量金屬離子捕捉

　　基于“溶出伏安法”或“差分脈沖伏安法”，針對晶圓表面金屬離子特性設計檢測邏輯：

　　離子富集與溶出：首先將晶圓作為工作電極，在特定電位下（如-1.2V vs參比電極）施加還原電位，使晶圓表面吸附的金屬離子（如Cu²?、Fe³?）還原為金屬單質(zhì)并沉積在電極表面（富集過程）；隨后線性掃描電位（如從-1.2V升至0.8V），沉積的金屬單質(zhì)重新氧化為離子并產(chǎn)生氧化電流，不同金屬離子因氧化電位不同，會在特定電位處形成特征電流峰，峰電流強度與金屬離子濃度呈線性關系（符合能斯特方程），據(jù)此可定量殘留量。

　　高靈敏度保障：通過優(yōu)化電解質(zhì)體系（如采用超純硝酸溶液作為支持電解質(zhì)，降低背景干擾）與電位掃描參數(shù)（如減小掃描速率、增加富集時間），檢測限可低至0.1ppb，滿足晶圓對金屬離子殘留的嚴苛檢測要求，避免因微量殘留導致的晶圓漏電、器件失效等問題。
 

　　二、多通道技術(shù)優(yōu)勢：適配晶圓多區(qū)域同步檢測

　　并行檢測提升效率：設備集成多個獨立電化學檢測通道（通常4-16通道），可同時對接晶圓的不同檢測點位（如晶圓中心、邊緣、不同芯片單元區(qū)域），單次檢測即可獲取全晶圓表面金屬離子殘留的分布圖譜，較單通道檢測效率提升4-16倍，適配晶圓制造的高速生產(chǎn)線節(jié)奏（通常每小時需檢測數(shù)十片晶圓）。

　　一致性與差異性分析：多通道采用統(tǒng)一參比電極與輔助電極，確保各通道檢測條件一致，可精準對比不同區(qū)域的殘留差異（如晶圓邊緣因清洗不充分，殘留量可能比中心高2-3倍）；同時能同步監(jiān)測同一區(qū)域在不同清洗步驟后的殘留變化（如清洗前、清洗后、烘干后），直觀評估清洗工藝效果，避免單通道分次檢測導致的誤差。

　　三、在線檢測流程：貼合晶圓制造場景

　　原位采樣與檢測：檢測模塊直接集成在晶圓清洗工序后，無需將晶圓轉(zhuǎn)移至離線實驗室，通過機械臂將晶圓送至檢測工位，多通道電化學工作站自動貼合電極系統(tǒng)（工作電極接觸晶圓表面，參比/輔助電極置于電解質(zhì)池中），實現(xiàn)“清洗-檢測”無縫銜接，減少外界污染風險（如空氣中金屬離子沉降）。

　　數(shù)據(jù)實時處理與反饋：檢測完成后，系統(tǒng)自動擬合峰電流與濃度標準曲線，輸出各通道金屬離子殘留量（如Cu²?：2.3ppb、Fe³?：1.8ppb），并生成殘留分布熱力圖；若某通道殘留量超閾值（如＞10ppb），即時觸發(fā)報警，通知控制系統(tǒng)調(diào)整清洗參數(shù)（如延長清洗時間、提高清洗劑濃度），實現(xiàn)閉環(huán)質(zhì)量管控。

　　多通道電化學工作站通過實時性、多點位、高靈敏度的在線檢測，解決了晶圓表面金屬離子殘留“離線檢測滯后、單點位代表性差”的痛點，為半導體制造中晶圓質(zhì)量的精準把控提供了可靠技術(shù)手段，助力提升芯片良率與器件性能穩(wěn)定性。